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硅光芯片与光互连:为什么说它是算力破局的救命稻草

2026-10-01 22:56:07小研科研成果库9
最近跑行业峰会,听得最多的词不是大模型,也不是新算法,是硅光芯片与光互连。 所有人都在急。AI大模型动辄千亿参数,训练一次烧几千万,卡脖子的从来不是晶体管不够多——是数据传不动。 你堆一百个芯粒在一块封装里,每个芯粒每秒要交换几十T数据,电互连扛不住啊。

电互连已经摸到了物理天花板

从上世纪六十年代发展到现在,电互连的进步已经追不上算力的增速了。 说实话,现在最先进的电互连,带宽密度也就做到大约10 Tbps/mm²,功耗大概是每传输1Tbps就要耗掉几瓦电。一块大算力芯片,互连部分的功耗就能占掉总功耗的40%以上,一半的电都用来发热了,你说扯不扯? 摩尔定律放缓之后,整个行业都转向多芯粒异构集成,原来一块大芯片拆成好几个小芯粒做,良率更高成本更低,但对互连的带宽要求直接翻了好几倍。电互连的那点余量,早就被榨干了。 传统电互连芯片高温发热测试图传统电互连芯片高温发热测试图 物理规律摆在这,电信号在铜线里传,距离越长,损耗越大,串扰越严重,你再怎么优化材料优化工艺,也不可能突破这个底限。 要解决问题,只能换赛道。把电信号换成光信号。 光信号本身的特性就适合传输:并行度高、低延迟、几乎没有串扰,带宽能做得非常高,功耗还能压下来。 光用来做长距离通信几十年了,为什么直到现在才往芯片里搬?因为原来的光器件都是分立做的,体积大,价格贵,根本不可能集成到芯片里面。 直到硅光芯片出来,这个事才成了可能。

硅光芯片把光互连焊进了主流产线

硅光芯片的核心思路,就是用标准的硅基CMOS工艺来做光器件,把激光器、调制器、耦合器、波导、探测器这些光组件,全部集成到一块硅芯片上。 最大的优势是什么?能复用现在已经非常成熟的CMOS产线啊!不用新建工厂,不用重新开模,批量生产就能把成本打下来,这是原来分立光器件想都不敢想的事。 现在什么样了?国内厂商已经能量产800G硅光光模块,供应给全球各大云厂商的数据中心,单波100G的方案已经非常成熟,单波200G的样品都出来了。一块指甲盖大小的硅光芯片,就能输出几十T的带宽,密度比最先进的电互连高一个量级还多,功耗还只有电互连的三分之一不到。 8英寸硅光芯片晶圆生产实拍图8英寸硅光芯片晶圆生产实拍图 说实话,我前几年还觉得硅光是资本炒出来的概念,炒了快二十年都没落地,都是骗投资的。直到去年看出货数据,全球800G光模块里,硅光方案的占比已经超过三成了,今年还会涨到一半以上,英特尔、博通、华为这些巨头都在满产能扩,才反应过来——原来这不是画饼,是真的杀到成熟期了。 不过话说回来,现在硅光大部分用在数据中心服务器之间的长距互连,这只是第一步。真正的大蛋糕,在板间互连,更刺激的在片上芯粒互连。

片上光互连才是终局,就差临门一脚

片上光互连才是终局,就差临门一脚片上光互连才是终局,就差临门一脚 现在做AI大芯片,都在拼芯粒集成,一块封装塞十几个芯粒,每个都要满速通信。 现在片内芯粒互连用的还是电的,跑起来延迟高,功耗大,带宽还不够,根本喂不满这么多芯粒的算力需求。要是换成硅光互连呢?带宽密度能翻五倍以上,功耗直接降到原来的四分之一,延迟还能压掉一半多,相当于直接把整个芯片的有效算力翻了一倍。 这是什么概念?原来你做不出来的万万亿次算力芯片,用硅光互连就能做出来。 那为什么现在还没大规模用?卡壳的地方其实就两个。 第一个就是光源。硅本身是间接带隙材料,发光效率低得可怜,现在主流方案是把III-V族的激光器做出来,再通过异质键合集成到硅光芯片上,这个工艺良率还不够高,成本也降不下来,还在跑优化。 第二个就是生态。整个行业做了几十年电互连,设计工具、封装流程、测试标准全都是为电准备的,硅光互连的整套设计流程还没标准化,很多中小设计公司想碰都碰不了。 不过你别说,资本和大厂都疯了一样往里砸钱,这两年国内光芯片初创公司融了上百亿,台积电直接说2025年就要推出集成硅光的先进封装平台,英伟达下一代产品已经确定用硅光做内部互连,国内好几家初创公司今年都流片出样了,步伐比所有人预想的都快太多。 之前还有专家说硅光片上互连还要十年才能商业化,我看啊,五年都不用。再过三年,你拿到的主流AI加速芯片,里面八成就是硅光互连的方案。 谁能想到呢?原来大家做硅光,都是盯着数据中心的长距模块赚钱,结果AI大模型的算力缺口,反过来逼着片上光互连快速成熟,顺带把整个产业链的成本都拉下来了。 算力革命说到头,其实就是连接的革命。电跑不动了,光接上去,就是这么简单的事。 对了,最近还有机构预测,到2028年,全球硅光市场规模会突破一百亿美元,大部分增长都来自算力侧的光互连需求。 这波风口,真不是吹出来的。